电容容量不良的因素及解剖步骤

C、tgδ不良的因素:

①芯包浸渍不良②接触电阻③断片(接头)④剥离不良⑤长度⑥混装⑦卷偏⑧箔片原因

容量不良电容解剖步骤:

1、将铝壳解体,对芯包浸渍情况调查,解剖芯包观察电解纸及箔上是否有电解液吸附。

2、芯包解体过程中观察箔片是否有断片。

3、检查箔片颜色或腐蚀情况。

4、检查芯包箔片长度与流转卡记载的尺寸是否相符,是否有其它批号产品混入。

5、检查各设定表,判断产品设定长度是否正确。

6、检查阳极铝箔的比容、耐电压。

7、检查负极铝箔的使用是否与制作图一致,并测试其比容。

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